ʻO ka pā chuck keramika SiC nā kīʻaha omo seramika i hana pololei ʻia
Nā ʻano mea:
1. Paʻakikī kiʻekiʻe: ʻo ka paʻakikī Mohs o ka silicon carbide he 9.2-9.5, ʻo ka lua wale nō i ka daimana, me ke kūpaʻa ikaika.
2. Ke alakaʻi wela kiʻekiʻe: ʻo ke alakaʻi wela o ka silicon carbide he kiʻekiʻe ia e like me 120-200 W/m·K, hiki ke hoʻokuʻu koke i ka wela a kūpono hoʻi no ke kaiapuni wela kiʻekiʻe.
3. Haʻahaʻa ka coefficient hoʻonui wela: haʻahaʻa ka coefficient hoʻonui wela silicon carbide (4.0-4.5 × 10⁻⁶ / K), hiki ke mālama i ke kūpaʻa dimensional i ke kiʻekiʻe o ka mahana.
4. Paʻa kemika: ke kūpaʻa o ka silicon carbide acid a me ka alkali corrosion, kūpono no ka hoʻohana ʻana i kahi kaiapuni kemika corrosive.
5. Ikaika mechanical kiʻekiʻe: he ikaika kūlou kiʻekiʻe ko ka silicon carbide a me ka ikaika compressive, a hiki ke kū i ke kaumaha mechanical nui.
Nā Hiʻohiʻona:
1. I loko o ka ʻoihana semiconductor, pono e kau ʻia nā wafers lahilahi loa ma luna o ke kīʻaha omo vacuum, hoʻohana ʻia ka omo vacuum e hoʻopaʻa i nā wafers, a hana ʻia ke kaʻina hana o ka waxing, thinning, waxing, hoʻomaʻemaʻe a me ka ʻoki ʻana ma nā wafers.
2. Loaʻa i ka mea hoʻoulu carbide silikona ka conductivity thermal maikaʻi, hiki ke hoʻopōkole pono i ka manawa waxing a me ka waxing, hoʻomaikaʻi i ka hana hana.
3. Loaʻa i ka mea hoʻomaʻemaʻe vacuum silicon carbide ka pale maikaʻi ʻana i ka waikawa a me ka alkali.
4. Hoʻohālikelike ʻia me ka papa lawe corundum kuʻuna, hoʻopōkole i ka hoʻouka ʻana a me ka wehe ʻana i ka manawa hoʻomehana a me ka hoʻoluʻu ʻana, hoʻomaikaʻi i ka pono hana; I ka manawa like, hiki ke hoʻemi i ke komo ʻana ma waena o nā papa o luna a me lalo, mālama i ka pololei o ka mokulele maikaʻi, a hoʻolōʻihi i ke ola lawelawe ma kahi o 40%.
5. He liʻiliʻi ka hapa o nā mea, he māmā ke kaumaha. He mea maʻalahi i nā mea hoʻohana ke lawe i nā pallets, e hōʻemi ana i ka pilikia o ka pōʻino i hoʻokumu ʻia e nā pilikia halihali ma kahi o 20%.
6.Nui: ke anawaena kiʻekiʻe loa 640mm; Palahalaha: 3um a emi mai paha
Kahua noi:
1. Hana ʻana i nā mea hana semiconductor
●Ka hana ʻana i ka wafer:
No ka hoʻopaʻa ʻana o ka wafer i ka photolithography, etching, ka waiho ʻana o ka ʻili lahilahi a me nā kaʻina hana ʻē aʻe, e hōʻoiaʻiʻo ana i ka pololei kiʻekiʻe a me ke kūlike o ke kaʻina hana. ʻO kona kūpaʻa wela kiʻekiʻe a me ka corrosion he kūpono ia no nā wahi hana semiconductor paʻakikī.
●Ka ulu ʻana o ka epitaxial:
I ka ulu ʻana o SiC a i ʻole GaN epitaxial, ma ke ʻano he mea lawe e hoʻomehana a hoʻopaʻa i nā wafers, e hōʻoiaʻiʻo ana i ka like ʻana o ka mahana a me ka maikaʻi o ke kristal i nā mahana kiʻekiʻe, e hoʻomaikaʻi ana i ka hana o ka hāmeʻa.
2. Nā lako hana photoelectric
●Ka Hana ʻana o ka LED:
Hoʻohana ʻia e hoʻopaʻa i ka sapphire a i ʻole SiC substrate, a ma ke ʻano he mea lawe hoʻomehana i ke kaʻina hana MOCVD, e hōʻoia i ka like ʻana o ka ulu ʻana o ka epitaxial, e hoʻomaikaʻi i ka pono a me ka maikaʻi o ka luminous LED.
●Diode laser:
Ma ke ʻano he mea hoʻopaʻa kiʻekiʻe-pololei, hoʻopaʻa a hoʻomehana i ka substrate e hōʻoia i ke kūpaʻa o ka mahana o ke kaʻina hana, hoʻomaikaʻi i ka mana hoʻopuka a me ka hilinaʻi o ka diode laser.
3. Ka mīkini kikoʻī
●Ka hana ʻana i nā ʻāpana maka:
Hoʻohana ʻia no ka hoʻopaʻa ʻana i nā ʻāpana kikoʻī e like me nā aniani optical a me nā kānana e hōʻoia i ka pololei kiʻekiʻe a me ka haumia haʻahaʻa i ka wā e hana ai, a kūpono hoʻi no ka mīkini ʻana i ka ikaika kiʻekiʻe.
●Ka hana ʻana i ka seramika:
Ma ke ʻano he mea paʻa kiʻekiʻe, kūpono ia no ka mīkini kikoʻī o nā mea seramika e hōʻoia i ka pololei o ka mīkini a me ke kūlike ma lalo o ke ana wela kiʻekiʻe a me ke kaiapuni ʻino.
4. Nā hoʻokolohua ʻepekema
●Hoʻokolohua wela kiʻekiʻe:
Ma ke ʻano he mea hoʻopaʻa laʻana i nā wahi wela kiʻekiʻe, kākoʻo ia i nā hoʻokolohua mahana koʻikoʻi ma luna o 1600°C e hōʻoia i ka like ʻana o ka mahana a me ke kūpaʻa o ka laʻana.
●Hoʻāʻo hoʻomaʻemaʻe:
Ma ke ʻano he mea hoʻopaʻa a me ka mea lawe hoʻomehana hāpana i kahi ʻano hakahaka, e hōʻoia i ka pololei a me ka hana hou ʻana o ka hoʻokolohua, kūpono no ka uhi ʻana i ka hakahaka a me ka mālama wela.
Nā kikoʻī loea：
| (Waiwai waiwai) | (ʻĀpana) | (ssic) | |
| (ʻIke SiC) |
| (Wt)% | >99 |
| (Ka nui o ka palaoa maʻamau) |
| maikonona | 4-10 |
| (Ka nui) |
| kg/dm3 | >3.14 |
| (Porosity ʻike ʻia) |
| Vo1% | <0.5 |
| (Paʻakikī Vickers) | HV 0.5 | GPa | 28 |
| *( Ikaika kūlou) | 20ºC | MPa | 450 |
| (Ka ikaika kaomi) | 20ºC | MPa | 3900 |
| (Modulus Elastic) | 20ºC | GPa | 420 |
| (Paʻakikī o ka haki) |
| MPa/m'% | 3.5 |
| (Ka hoʻokele wela) | 20°ºC | W/(m*K) | 160 |
| (Ke kū'ē ʻana) | 20°ºC | ʻOhm.cm | 106-108 |
|
| a(RT**...80ºC) | K-1*10-6 | 4.3 |
|
|
| oºC | 1700 |
Me nā makahiki o ka hōʻiliʻili ʻenehana a me ka ʻike ʻoihana, hiki iā XKH ke hoʻopilikino i nā palena koʻikoʻi e like me ka nui, ke ʻano hoʻomehana a me ka hoʻolālā adsorption vacuum o ka chuck e like me nā pono kikoʻī o ka mea kūʻai aku, e hōʻoiaʻiʻo ana ua hoʻopili pono ʻia ka huahana i ke kaʻina hana a ka mea kūʻai aku. Ua lilo nā chucks keramika silicon carbide SiC i mau ʻāpana pono ʻole i ka hana wafer, ka ulu ʻana o epitaxial a me nā kaʻina hana koʻikoʻi ʻē aʻe ma muli o ko lākou conductivity thermal maikaʻi loa, ke kūpaʻa o ka mahana kiʻekiʻe a me ke kūpaʻa kemika. ʻOi loa aku hoʻi i ka hana ʻana o nā mea semiconductor hanauna ʻekolu e like me SiC a me GaN, ke ulu mau nei ke koi no nā chucks keramika silicon carbide. I ka wā e hiki mai ana, me ka hoʻomohala wikiwiki ʻana o 5G, nā kaʻa uila, ka naʻauao artificial a me nā ʻenehana ʻē aʻe, e ʻoi aku ka laulā o nā manaʻolana noi o nā chucks keramika silicon carbide i ka ʻoihana semiconductor.
Kiʻikuhi kikoʻī
