Mīkini ʻoki uea daimana Silicon carbide 4/6/8/12 ʻīniha SiC ingot hana hana

Mīkini ʻoki uea daimana Silicon carbide 4/6/8/12 ʻīniha hana ʻana i ka ingot SiC Kiʻi i hōʻike ʻia

Wehewehe Pōkole:

ʻO ka mīkini ʻoki uea daimana silicon carbide kahi ʻano hana hana kiʻekiʻe i hoʻolaʻa ʻia no ka ʻoki ingot silicon carbide (SiC), me ka hoʻohana ʻana i ka ʻenehana Diamond Wire Saw, ma o ka ʻoki ʻana i ka uea daimana neʻe wikiwiki (laina anawaena 0.1 ~ 0.3mm) i ka ʻoki ʻana i nā uea SiC ingot multi-wire, e hoʻokō i ka hoʻomākaukau wafer kiʻekiʻe, haʻahaʻa ka hōʻino. Hoʻohana nui ʻia nā lako i ka semiconductor mana SiC (MOSFET / SBD), ka hāmeʻa alapine lekiō (GaN-on-SiC) a me ka hana ʻana i ka substrate optoelectronic, he lako koʻikoʻi ia i ke kaulahao ʻoihana SiC.

E leka uila mai iā mākou

Nā hiʻohiʻona

Kumu hana:

1. Hoʻopaʻa ʻana i ka Ingot: Hoʻopaʻa ʻia ka ingot SiC (4H/6H-SiC) ma ka paepae ʻoki ma o ka mea paʻa e hōʻoia i ka pololei o ke kūlana (± 0.02mm).

2. Ka neʻe ʻana o ka laina daimana: hoʻokele ʻia ka laina daimana (nā ʻāpana daimana i hoʻopili ʻia ma luna o ka ʻili) e ka ʻōnaehana huila alakaʻi no ka holo wikiwiki (ka wikiwiki o ka laina 10 ~ 30m / s).

3. ʻOki ʻana i ka hānai: hānai ʻia ka ingot ma ke kuhikuhi i hoʻonohonoho ʻia, a ʻoki ʻia ka laina daimana i ka manawa like me nā laina like ʻole (100 ~ 500 laina) e hana i nā wafers he nui.

4. Hoʻomaʻalili a me ka wehe ʻana i nā ʻāpana: E pīpī i ka mea hoʻomaʻalili (wai deionized + nā mea hoʻohui) ma kahi ʻoki e hōʻemi i ka pōʻino wela a wehe i nā ʻāpana.

Nā palena koʻikoʻi:

1. Ka wikiwiki ʻoki: 0.2 ~ 1.0mm/min (ma muli o ke kuhikuhi kristal a me ka mānoanoa o SiC).

2. Ka laina ʻana: 20 ~ 50N (kiʻekiʻe loa maʻalahi e uhaʻi i ka laina, haʻahaʻa loa e pili ana i ka pololei o ka ʻoki ʻana).

3. Mānoanoa o ka wafer: maʻamau 350 ~ 500μm, hiki i ka wafer ke hiki i 100μm.

Nā hiʻohiʻona nui:

(1) Ka pololei o ka ʻoki ʻana
Ka hoʻomanawanui mānoanoa: ±5μm (@350μm wafer), ʻoi aku ka maikaʻi ma mua o ka ʻoki ʻana i ka mortar maʻamau (±20μm).

ʻO ka ʻōʻili: Ra<0.5μm (ʻaʻohe wili hou e pono ai e hōʻemi i ka nui o ka hana ma hope).

Warpage: <10μm (e hōʻemi i ka paʻakikī o ka wili ʻana ma hope).

(2) Ka pono o ka hana ʻana
ʻOki ʻana i nā laina he nui: ʻoki ʻana i nā ʻāpana 100 ~ 500 i ka manawa hoʻokahi, e hoʻonui ana i ka hiki ke hana i 3 ~ 5 mau manawa (vs. ʻOki laina hoʻokahi).

Ola laina: Hiki i ka laina daimana ke ʻoki i 100 ~ 300km SiC (ma muli o ka paʻakikī ingot a me ka hoʻonui ʻana i ke kaʻina hana).

(3) Ka hana ʻino haʻahaʻa
Ka haki ʻana o ka lihi: <15μm (ʻoki kuʻuna> 50μm), hoʻomaikaʻi i ka hua wafer.

Papa hōʻino o lalo o ka ʻilikai: <5μm (e hōʻemi i ka wehe ʻana o ka polishing).

(4) Ka palekana o ke kaiapuni a me ka hoʻokele waiwai
ʻAʻohe haumia o ka mortar: Ua hoʻemi ʻia ke kumukūʻai hoʻolei wai ʻōpala i hoʻohālikelike ʻia me ka ʻoki ʻana i ka mortar.

Ka hoʻohana ʻana i nā mea: ʻO ka ʻoki ʻana i ka pohō <100μm/ mea ʻoki, e mālama ana i nā mea maka SiC.

Ka hopena ʻoki:

1. ʻAno Wafer: ʻaʻohe māwae macroscopic ma ka ʻili, kakaikahi nā kīnā microscopic (hoʻonui dislocation hiki ke hoʻokele). Hiki ke komo pololei i ka loulou polishing ʻino, e hoʻopōkole i ke kahe o ke kaʻina hana.

2. Kūlike: ʻo ka ʻokoʻa mānoanoa o ka wafer i loko o ka pūʻulu he <± 3%, kūpono no ka hana hana aunoa.

3. Hoʻohana: Kākoʻo i ka ʻoki ʻana i ka ingot 4H/6H-SiC, kūlike me ke ʻano conductive/semi-insulated.

Nā kikoʻī loea:

Nā kikoʻī	Nā kikoʻī
Nā Ana (L × W × H)	2500x2300x2500 a hoʻopilikino paha
Ka laulā nui o ka mea hana	4, 6, 8, 10, 12 ʻīniha o ka silicon carbide
ʻO ka ʻōʻili	Ra≤0.3u
ʻO ka wikiwiki ʻoki awelika	0.3mm/min
Kaumaha	5.5t
Nā ʻanuʻu hoʻonohonoho hana ʻoki	≤30 mau ʻanuʻu
Walaʻau o nā lako	≤80 dB
Hoʻopaʻa uea kila	0~110N (0.25 ka wili uea he 45N)
Ka wikiwiki o ke uea kila	0~30m/S
Mana holoʻokoʻa	50kw
Anawaena uea daimana	≥0.18mm
Ka palahalaha o ka hopena	≤0.05mm
Ka wikiwiki o ka ʻoki ʻana a me ka haki ʻana	≤1% (koe wale nō nā kumu kanaka, nā mea silicon, laina, mālama a me nā kumu ʻē aʻe)

Nā lawelawe XKH:

Hāʻawi ʻo XKH i ka lawelawe hana holoʻokoʻa o ka mīkini ʻoki uea daimana silicon carbide, me ke koho ʻana i nā lako (ke anawaena uea/ka wikiwiki o ke uea), ka hoʻomohala ʻana i ke kaʻina hana (ka hoʻonui ʻana i nā palena ʻoki), ka hoʻolako ʻana i nā mea hoʻopau (uea daimana, huila alakaʻi) a me ke kākoʻo ma hope o ke kūʻai aku (mālama ʻana i nā lako, ka nānā ʻana i ka maikaʻi o ka ʻoki ʻana), e kōkua i nā mea kūʻai aku e loaʻa ka hua kiʻekiʻe (>95%), ka hana nui ʻana o ka wafer SiC haʻahaʻa. Hāʻawi pū ia i nā hoʻonui i hana ʻia (e like me ka ʻoki lahilahi loa, ka hoʻouka ʻana a me ka wehe ʻana i ka uea) me ka manawa alakaʻi 4-8 pule.