ʻO 8'īniha 200mm Silicon Carbide SiC Wafers 4H-N ʻano Hana hana 500um mānoanoa
ʻO ke kikoʻī o ka substrate SiC 200mm 8 iniha
Nui: 8 ʻīniha;
Anawaena: 200mm±0.2;
Mānoanoa: 500um±25;
Ke kuhikuhi ʻana o ka ʻili: 4 i ka [11-20]±0.5°;
Kūlana notch:[1-100]±1°；
Ka hohonu o ka notch: 1±0.25mm；
Paipu liʻiliʻi: <1cm2;
Nā Papa Hex: ʻAʻohe i ʻae ʻia;
Kū'ē: 0.015~0.028Ω;
EPD:<8000cm2;
TED:<6000cm2
BPD:<2000cm2
TSD:<1000cm2
SF: wahi <1%
TTV≤15um;
Warp≤40um;
Kakaka≤25um;
Nā wahi Poly: ≤5%;
Ka ʻōpala: <5 a me ka lōʻihi hōʻuluʻulu < 1 Wafer Anawaena;
Nā ʻĀpana/Nā Indent: ʻAʻohe mea e ʻae iā D>0.5mm ka laulā a me ka hohonu;
Māwae: ʻAʻohe;
Kaha: ʻAʻohe
Lihi Wafer: Chamfer;
Hoʻopau ʻili: Polish ʻaoʻao pālua, Si Face CMP;
Hoʻopili ʻana: Multi-wafer Cassette A i ʻole Single Wafer Container;
ʻO nā pilikia o kēia manawa i ka hoʻomākaukau ʻana o nā kristal 200mm 4H-SiC nui
1) Ka hoʻomākaukau ʻana i nā kristal hua 200mm 4H-SiC kiʻekiʻe;
2) ʻO ke ʻano like ʻole o ke kahua mahana nui a me ke kaohi ʻana i ke kaʻina hana nucleation;
3) Ka pono o ka halihali a me ka ulu ʻana o nā ʻāpana kinoea i nā ʻōnaehana ulu kristal nui;
4) Ka nahā ʻana o ke aniani a me ka hoʻonui ʻana o nā kīnā i hoʻokumu ʻia e ka piʻi ʻana o ke kaumaha wela nui.
No ka lanakila ʻana i kēia mau pilikia a loaʻa i nā wafers SiC 200mm kiʻekiʻe, ua manaʻo ʻia nā hoʻonā:
Ma ke ʻano o ka hoʻomākaukau ʻana o ke kristal hua 200mm, ua aʻo ʻia ke kahua kahe mahana kūpono, a me ka hoʻonui ʻana i ka ʻākoakoa e noʻonoʻo i ka maikaʻi o ke kristal a me ka nui o ka hoʻonui ʻana; E hoʻomaka ana me kahi kristal SiC se:d 150mm, e hoʻokō i ka hana hou ʻana o ke kristal hua e hoʻonui mālie i ka crystasize SiC a hiki i ka 200mm; Ma o ka ulu ʻana a me ke kaʻina hana kristal he nui, e hoʻonui mālie i ka maikaʻi o ke kristal ma ka wahi hoʻonui kristal, a hoʻomaikaʻi i ka maikaʻi o nā kristal hua 200mm.
Ma ke ʻano o ka hoʻomākaukau ʻana o ke kristal alakaʻi 200mm a me ka substrate, ua hoʻomaikaʻi ka noiʻi i ka hoʻolālā mahana a me ke kahua kahe no ka ulu ʻana o ke kristal nui, alakaʻi i ka ulu ʻana o ke kristal alakaʻi SiC 200mm, a kāohi i ka like ʻana o ka doping. Ma hope o ka hana ʻana a me ke ʻano o ke kristal, ua loaʻa kahi ingot 4H-SiC alakaʻi uila 8-ʻīniha me ke anawaena maʻamau. Ma hope o ka ʻoki ʻana, ka wili ʻana, ka poli ʻana, ka hana ʻana e loaʻa ai nā wafers SiC 200mm me ka mānoanoa o 525um a i ʻole.
Kiʻikuhi kikoʻī
