2 iniha Silicon Carbide Wafers 6H a i ʻole 4H N-type a Semi-Insulating SiC Substrates

4H SiC wafer N-ʻano

Anawaena: 2 iniha 50.8mm | 4 iniha 100mm | 6 iniha 150mm

Ke kuhikuhi ʻana: ma waho o ke axis 4.0˚ a i <1120> ± 0.5˚

Kū'ē: <0.1 ohm.cm

'Oka: Si-maka CMP Ra <0.5nm, C-maka maka maka poli Ra <1 nm

4H SiC wafer Semi-insulating

Anawaena: 2 iniha 50.8mm | 4 iniha 100mm | 6 iniha 150mm

Kūlana: ma ke axis {0001} ± 0.25˚

Kū'ē: >1E5 ohm.cm

'Oka: Si-maka CMP Ra <0.5nm, C-maka maka maka poli Ra <1 nm

1. ʻOihana 5G -- lako mana kamaʻilio

ʻO ka hāʻawi mana kamaʻilio ka kumu ikehu no ke kikowaena a me ke kahua kahua kamaʻilio. Hāʻawi ia i ka ikehu uila no nā mea hoʻoili like ʻole e hōʻoia i ka hana maʻamau o ka ʻōnaehana kamaʻilio.

2. Puʻu hoʻouka ʻana o nā kaʻa ikehu hou -- module mana o ka puʻu hoʻouka

Hiki ke hoʻomaopopo ʻia ka hana kiʻekiʻe a me ka mana kiʻekiʻe o ka module pile power module me ka hoʻohana ʻana i ka silicon carbide i ka module pile power module, i mea e hoʻomaikaʻi ai i ka wikiwiki o ka hoʻouka ʻana a hoʻemi i ke kumukūʻai.

3. Ke kikowaena ʻikepili nui, Pūnaewele ʻOihana -- lako mana kikowaena

ʻO ka lako mana kikowaena ka waihona ikehu kikowaena. Hāʻawi ke kikowaena i ka mana e hōʻoia i ka hana maʻamau o ka ʻōnaehana kikowaena. ʻO ka hoʻohana ʻana i nā ʻāpana mana silicon carbide i loko o ka lako mana kikowaena hiki ke hoʻomaikaʻi i ka mana a me ka pono o ka lako mana server, e hoʻemi i ka nui o ka kikowaena data ma ka holoʻokoʻa, e hōʻemi i ke kumukūʻai kūkulu holoʻokoʻa o ke kikowaena data, a hoʻokō i ke kaiapuni kiʻekiʻe. pono.

4. Uhv - Ka hoʻohana ʻana i nā mea haʻihaʻi kaapuni DC maʻalahi

5. Kaʻaahi kiʻekiʻe kiʻekiʻe ma waena o ke kaʻaahi a me ke kaʻaahi ma waena o ke kūlanakauhale -- nā mea hoʻohuli traction, nā mea hoʻololi uila mana, nā mea hoʻololi kōkua, nā lako mana kōkua.